Ученые из Нижнего Новгорода создали инновационную пленку с кремнием в гексагональной фазе. Перспективный материал способен резко повысить энергоэффективность транзисторов, обеспечивая больший ток при меньшем напряжении. Эта революционная разработка открывает путь к улучшению ключевых элементов микросхем и повышению мощности процессоров. Исследование физиков ННГУ им. Н.И. Лобачевского выделяется своей уникальностью на мировом уровне.
Ключевые преимущества и стабилизация материала
«Гексагональная фаза кремния обладает исключительной кристаллической структурой, усиливающей проводимость материала в определенных направлениях, что дает прирост силы тока. Такие слои традиционно неустойчивы, быстро возвращаясь к обычной форме. Наш прорыв в стабилизации гексагонального кремния открывает захватывающие перспективы для промышленного применения», – отметил Антон Конаков, доцент кафедры квантовых и нейроморфных технологий физфака Университета Лобачевского.
Технология создания и потенциал внедрения
Инновационная пленка выращивается на стандартной кремниевой подложке и стабилизируется слоем германия. В результате формируется однородный, непрерывный слой гексагонального кремния. Эта технология позволяет использовать материал на обширных участках микросхем с высокой плотностью контактов. Сейчас команда адаптирует и масштабирует решение для интеграции в российское производство микроэлектроники.
Расширение возможностей материаловедения
«Помимо главной технологии, мы создали уникальные комплексы для выращивания тонких пленок кремния и германия. Эти передовые решения также защищены патентами и применимы для разработки широкого спектра материалов, включая различные тонкопленочные структуры, востребованные в микроэлектронной индустрии», – пояснил Николай Кривулин, автор работы, доцент кафедры физики полупроводников.
Реализация передового проекта
Работа выполнена участниками программы «Приоритет-2030». Технология запатентована в 2024 году при содействии Центра трансфера технологий ННГУ.
Источник: scientificrussia.ru
